반응형 4나노1 반도체 용어: 3나노 공정vs 4나노 공정, 그 차이는? 반도체 공정에서 3나노와 4나노는 숫자가 작을수록 더욱 미세한 회로 선폭을 의미합니다. 이는 칩 성능, 전력 효율, 크기 등에 큰 영향을 미칩니다. 반도체 공정 3나노와 4나노의 주요 차이점▣ 성능 향상: 3나노 공정은 4나노에 비해 더 많은 트랜지스터를 동일한 면적에 집적할 수 있어 성능이 약 10-15% 향상됩니다. ▣ 전력 효율 개선: 3나노는 누설 전류를 줄여 전력 소비를 약 20-30% 감소시킵니다. 이는 배터리 수명 연장에 기여합니다. ▣ 칩 크기 축소: 더 미세한 회로는 칩 크기를 줄여 더 작고 가벼운 기기를 만들 수 있습니다. 반도체 공정 3나노와 4나노의기술적 차이▣ GAAFET (Gate-All-Around FET) 도입: 3나노 공정에서는 기존 FinFET 구조를 대체하는 GAAFE.. 2024. 8. 9. 이전 1 다음 반응형
